近年来，随着系列二维层状铁电材料的涌现，如 CuInP₂S₆、α-In₂Se₃等本征二维铁电体系及众多二维堆叠铁电体系，二维铁电物性研究取得了长足进步，为开发原子尺度功能电子器件提供了新机遇。在本次报告中，我们将介绍近年来二维面外铁电物性的探索进展，并针对二维极限条件下外电场难以对铁电极化进行均匀调控这一前沿难题，探讨基于挠曲电效应的二维铁电极化普适调控策略。具体内容包括：（1）本征α-In₂Se₃及滑移体系1T’-ReS2中二维面外铁电物性的实验探索[1]；（2）本征及摩尔二维铁电畴的无损可逆挠曲调控[2-4]；（3）二维面外铁电物性的潜在器件应用[5]。
Ref:
[1] Y Wan#, T Hu#, X Mao#, J Fu, K Yuan, Y Song, X Gan, X Xu, M Xue, X Cheng, C Huang, J Yang, L Dai*, H Zeng*, E Kan*, Phys. Rev. Lett. 128, 067601, (2022) (Cover Story).
[2] C Chen#, H Liu#, Q Lai#, X Mao, J Fu, Z Fu*, H Zeng*, Nano Lett. 22, 3275-3282 (2022).
[3] H Liu#, Q Lai#, J Fu, S Zhang, Z Fu, H Zeng*, Nat. Commun. 15, 4556 (2024).
[4] S Wan, H Huang, H Liu, H Liu, Z Li, Y Li, Z Liao, M Lanza, H Zeng*, Y Zhou*, Adv. Mater. 2410563 (2024).
[5] Y Li, J Fu, X Mao, C Chen, H Liu, M Gong*, H Zeng*, Nat. Commun. 12, 5896 (2021)
